[딜사이트 이세연 기자] 국내 반도체 업계를 대표하는 삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 HBM4 실물을 공개하며 기술력을 과시했다. 양사 모두 양산 전 단계로, HBM 최대 고객사인 엔비디아의 공식 발주도 받지 못한 상황이다. 불확실성이 존재하는 만큼 차세대 기술 경쟁력을 적극적으로 알리려는 행보로 해석된다.

삼성전자와 SK하이닉스는 22일 서울 코엑스에서 열린 '제27회 반도체대전(SEDEX 2025)'에서 HBM4의 실물을 나란히 공개했다. 두 회사 모두 부스 입구 인근에 별도 공간을 마련해 적층 단수, 대역폭 등 주요 사양을 공개하며 관람객들의 눈길을 끌었다.

삼성전자는 HBM4 사양표를 통해 11Gbps 이상의 입출력(I/O) 속도와 2.8TBps 이상의 대역폭을 구현했음을 강조했다. 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 제시한 기준(8Gbps, 2.0TB/s)보다 높은 수치다. 삼성전자의 HBM은 구조적으로 대역폭 확장에 유리한 설계를 갖고 있다는 평가를 받고 있다. 이에 최근 엔비디아가 10Gbps 이상의 대역폭 향상을 요구했음에도, 이를 충족하는 성능을 빠르게 구현해낸 것으로 보인다.

앞서 SK하이닉스가 HBM4 양산 체제 구축을 공식화한 가운데, 삼성전자 역시 이에 대한 자신감을 내비쳤다. 현장에서 만난 삼성전자 관계자는 "우리도 양산 가능한 상황이고, 준비됐다고 본다"며 "(SK하이닉스가) 양산 체제까지 완료했다는 건 수율이 70% 이상 확보된 수준이라고 본다"고 말했다. 이어 "우리도 수율이 잘 잡히고 있다. 물론 쉽지 않은 기술이지만, 안정적으로 개선되고 있다"고 덧붙였다.

한편 SK하이닉스의 HBM4 전시 공간 역시 오전부터 참관객들로 붐볐다. 현 시점 HBM 시장 1위 공급사인 만큼, 제품을 자세히 살펴보거나 사진을 찍으며 높은 관심을 보였다. "어느 정도 가격대로 납품될지 궁금하다"며 그 자리에서 관련 기사를 찾아보는 방문객도 있었다. 삼성전자가 대역폭을 강조했다면 SK하이닉스는 적층 기술을 부각했다. 삼성전자는 적층 구조를 12단으로 표기한 반면, SK하이닉스는 16단 적층 구조를 내세웠다.

한편 양사는 HBM4 제조 공정에서도 차이를 보이고 있다. 삼성전자는 10나노급 6세대(1c) 공정을, SK하이닉스는 10나노급 5세대(1b) 공정을 적용했다. 삼성전자가 1c D램 캐파(CAPA, 생산능력)를 모두 HBM에 할당한다면, SK하이닉스는 HBM에 안정성이 검증된 1b 공정을 사용하는 동시에 GDDR7, LPDDR6 등 범용 제품에는 1c 공정을 시도하는 전략을 취하고 있다.