[딜사이트 이세연 기자] SK하이닉스가 세계 최초로 6세대 HBM4 양산 체제를 구축하는 데 성공했다. 당초 회사는 올해 10월께 HBM4의 양산 이관(연구개발 결과를 생산 부문으로 넘기는 절차)을 계획했는데, 일정이 순조롭게 진행되고 있다는 평가다.

SK하이닉스는 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM4 개발을 성공적으로 마무리하고, 양산 체제를 세계 최초로 구축했다고 12일 밝혔다. 회사 측은 "당사의 AI 메모리 기술 리더십을 글로벌 시장에서 다시 한번 입증했다"고 밝혔다.

개발을 이끈 조주환 SK하이닉스 HBM개발 담당 부사장은 "HBM4 개발 완료는 업계에 새로운 이정표가 될 것"이라며 "고객이 요구하는 성능, 에너지 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시 공급해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장 진입(Time to Market)을 실현할 것"이라고  밝혔다.

최근 AI 수요와 데이터 처리량이 폭발적으로 늘어나면서 더 빠른 연산 속도를 구현하기 위한 HBM 수요가 급증하고 있다. 동시에 막대한 전력을 소모하는 데이터센터 운영 부담까지 가중되면서 메모리의 전력 효율 확보가 핵심 과제로 부상했다. SK하이닉스는 한층 향상된 대역폭과 전력 효율을 갖춘 HBM4가 이러한 요구를 충족시킬 최적의 솔루션이 될 것으로 보고 있다.

이번에 양산 체제를 갖춘 HBM4는 이전 세대보다 2배 많은 2048개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 2배 확대하고, 전력 효율은 40% 이상 끌어올렸다. 세계 최고 수준의 데이터 처리 속도와 전력 효율을 구현했다는 게 회사 측 설명이다. SK하이닉스는 "이 제품을 고객 시스템에 적용하면 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 향상시켜 데이터 병목 현상을 근본적으로 해소한다"며 "데이터센터 전력 비용 절감에도 기여할 것"이라 설명했다.

회사는 이 제품에 10Gbps(초당 10기가비트) 이상의 동작 속도를 구현해, HBM4의 JEDEC 표준 동작 속도(8Gbps)를 크게 뛰어 넘었다. 회사는 HBM4 개발에 자사 고유의 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정과 10나노급 5세대(1bnm) D램 기술을 적용해 양산 과정의 리스크도 최소화했다. MR-MUF 공정은 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 방식을 말한다.

김주선 SK하이닉스 AI Infra 사장(CMO)은 "이번에 세계 최초로 양산 체제 구축을 공식 발표한 HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점으로, AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품"이라며 "당사는 AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급하여 '풀 스택 AI 메모리 프로바이더'로 성장해 나가겠다"고 말했다.