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미중 갈등 수혜 DB하이텍, 하반기 전망도 '맑음'
신지하 기자
2025.08.05 09:26:10
BCD 매출 비중 65%·중국 비중 63% 상향…"파운드리 풀가동·신사업 추진 속도"
이 기사는 2025년 08월 05일 08시 26분 유료콘텐츠서비스 딜사이트 플러스에 표출된 기사입니다.
(사진=DB하이텍)

[딜사이트 신지하 기자] DB하이텍이 미중 갈등의 반사이익을 톡톡히 누리고 있다. 올해 2분기 실적은 지난해 말부터 2개 분기 연속 상승세를 이어갔다. 미국의 대중국 반도체 수출 규제와 중국의 자립화 정책이 맞물리며, 전력반도체 중심의 수요가 DB하이텍으로 몰린 결과로 풀이된다. 특히 주력인 전력반도체용 복합전압소자(BCD) 공정 제품 비중이 65%로 확대되고, 중국 매출 비중도 다시 60%대를 회복하면서 실적 개선세는 하반기에도 이어질 전망이다.


DB하이텍은 올 2분기 연결기준 매출 3347억원, 영업이익 739억원을 기록했다고 4일 공시했다. 지난해 같은 기간과 비교하면 매출은 13.1%, 영업이익은 9.5% 각각 늘었다. 직전 분기보다는 매출은 13.5% 늘었고, 영업이익은 40.7% 급증했다. 이는 투자정보업체 에프앤가이드가 집계한 컨센서스(증권가 전망치 평균) 매출 3136억원, 영업이익 725억원을 모두 상회하는 수치로, 지난해 4분기(매출 2835억원, 영업이익 353억원)부터 2개 분기 연속 실적 개선세를 이어갔다.


사업부문별로 파운드리는 2분기 매출 2987억원을 기록했다. 직전 분기보다는 10%, 지난해 같은 기간보다 13% 각각 증가한 수준으로, 전체 매출 상승을 견인했다. 다만 팹리스는 직전 분기보다는 52% 늘어난 499억원으로 집계됐지만 지난해 같은 기간보다는 15% 줄어든 것으로 나타났다. 파운드리는 전력반도체 수요 확대가 실적을 끌어올렸고, 팹리스는 중국 매출이 늘었지만 현지 시장 여건이 녹록지 않아 전년 실적을 넘지 못한 것으로 풀이된다.


파운드리 실적 상승의 배경에는 미중 갈등과 중국의 반도체 자립화 움직임이 있다. 미국의 반도체 수출 통제로 글로벌 종합반도체업체(IDM) 제품의 중국 내 접근성이 낮아지면서 현지 고객들이 대체 공급처를 찾기 시작했고, 고전압 전력반도체 분야에서 강점을 가진 DB하이텍이 이들 수요를 흡수한 것으로 보인다. DB하이텍의 주력 제품인 전력반도체용 BCD 기술은 업계 최고의 저전력, 수율, 납기, 단가 경쟁력을 보유하고 있다.

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DB하이텍의 2분기 BCD 공정 기반 제품 매출 비중은 65%로, 1년 전(55%)보다 10%포인트, 직전 분기(64%)보다 1%포인트 각각 증가했다. 회사의 수요처도 수익성이 높은 산업·차량용 중심으로 빠르게 재편되는 모습이다. 통신·가전 중심이던 매출 구조는 고부가로 꼽히는 산업·차량용 분야로 옮겨가고 있으며, 2분기 자동차와 산업용 매출 비중은 각각 18%, 12%로 전체의 30%를 차지했다. 1년 전과 비교하면 자동차용은 3%포인트, 산업용은 2%포인트 늘어난 수치다.


DB하이텍은 중국 시장 수요 확대에 발맞춰 현지 영업 기반도 강화했다. 올 상반기 중국 내 신규 대리점 9곳과 파트너십을 체결하며 유통망을 확장했다. 회사는 2분기 실적자료에서 "미국 TI를 비롯한 MPS, NXP, ST 등 해외 IDM 제품이 중국 내에서 (자사로) 대체되고 있으며, 자동차·산업용 중심의 고전압 전력반도체 수요가 이어지고 있다"며 "하반기에는 중국 정부의 경기 부양책과 함께 소비자용 수요도 회복세를 나타낼 것"으로 전망했다.


DB하이텍의 파운드리는 현재 생산능력 기준으로 사실상 '풀케파' 수준이다. DB하이텍 관계자는 "올 상반기 가동률은 90% 중후반까지 회복됐으며, 하반기에도 유사한 수준을 유지할 것으로 본다"고 말했다. 회사가 밝힌 올해 연간 가동률 목표치는 95%며, 지난해 가동률은 76%였다. 업계에서는 중국에서의 고전압 전력반도체 수요 흐름을 고려하면 내년에도 이와 비슷한 수준의 가동률이 유지될 가능성이 크다는 분석이 나온다.


신사업 부문도 속도를 내고 있다. 우선 DB하이텍은 차세대 전력반도체로 꼽히는 질화갈륨(GaN) 제품의 샘플을 지난 4월 제작해 전략 고객 확보에 나섰다. 회사는 "대만 TSMC의 GaN 사업 철수로 시장 기회가 열린 상황"이라며 "차별화된 공정 기술을 기반으로 고객사 확대에 집중하고 있다"고 설명했다. DB하이텍의 GaN 8인치 공정은 650V 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT) 특성을 확보했으며, 올해 안으로 신뢰성 확보를 마칠 계획이다. 또 오는 10월 GaN 전용 멀티프로젝트웨이퍼(MPW)를 운영해 고객들의 제품 평가를 지원할 예정이다.


또 다른 신사업인 실리콘 캐패시터는 당초 6월 초도 양산을 목표로 했으나 일정이 하반기로 다소 늦춰졌다. 본격적인 양산 목표도 기존 올 4분기에서 내년 2분기로 조정됐다. 앞서 DB하이텍은 지난 2월 모든 공정을 자체 소화한 SiC 8인치 웨이퍼의 기본 특성을 확보했다. 당시 수율과 신뢰성 향상을 거쳐 올해 말부터 고객에게 해당 공정을 제공할 계획이라고 밝힌 바 있다.


DB하이텍의 실적 개선세는 하반기에도 지속될 전망이다. 미중 반도체 패권 경쟁과 중국의 반도체 자립화 기조가 맞물린 수요 환경이 쉽게 꺾이기 어렵다는 분석에서다. DB하이텍의 올 3분기 실적 컨센서스는 매출 3331억원, 영업이익 702억원이다. 지난해 같은 기간과 비교해 매출은 15.7%, 영업이익은 49.1% 각각 늘어날 것으로 추정된다. 4분기 컨센서스는 매출 3468억원, 영업이익 712억원으로 집계됐다. 전력반도체 수요가 자동차·산업 분야를 중심으로 꾸준히 이어지고 있는 데다 고부가 제품 중심의 포트폴리오와 높은 가동률 유지, 신규 고객 확대 등이 이 같은 호실적 전망을 뒷받침하고 있다.


DB하이텍 관계자는 "올 하반기에도 주력인 전력반도체 중심 수요가 꾸준히 유지될 것으로 보고 있으며, 현재 수준의 높은 가동률도 당분간 지속 가능할 것으로 판단하고 있다"며 "지금처럼 공장이 거의 빈틈없이 돌아가는 흐름이 내년까지 이어질 수 있을 것으로 예상하고 있다"고 말했다. 그러면서 "전력반도체 중심으로 기술 경쟁력을 강화하는 동시에 GaN, SiC 등 신사업을 통해 중장기 성장 기반도 지속 확보할 계획"이라고 덧붙였다.

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