[딜사이트 김주연 기자] 한미반도체가 SK하이닉스로부터 442억원 규모의 6세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4 제조 장비 공급계약을 따냈다. HBM4 양산을 본격화한 SK하이닉스가 관련 장비 투자를 확대하는 신호로 해석된다.

한미반도체는 8일 SK하이닉스에 HBM4 제조용 TC 본더 4.5 그리핀 장비를 공급하는 계약을 체결했다고 공시했다. 계약 규모는 442억원으로 지난해 매출액 5766억원의 7.66%에 해당한다. 계약 기간은 오는 9월2일까지다.

통상 TC 본더 장비 한 대가 30억원 수준인 점을 고려하면 이번 수주를 통해 SK하이닉스가 도입하는 장비는 15대 안팎으로 추정된다. HBM TC 본더는 D램 칩을 수직으로 적층할 때 열과 압력을 가해 정밀하게 부착하는 장비다. HBM이 여러 층의 D램을 쌓아 올리는 구조인 만큼 TC 본더가 핵심 장비로 꼽힌다.

앞서 한미반도체는 지난해 5월 중순 HBM4용 장비인 'TC 본더 4'를 출시한 바 있다. 이번 장비는 해당 제품을 업그레이드한 모델로 SK하이닉스에 최적화된 장비로 알려졌으며, SK하이닉스의 차세대 D램 생산기지인 M15X팹에 도입될 계획이다. SK하이닉스는 M15X 구축 계획을 앞당겨 지난해 10월 첫 클린룸을 열고 지난 2월 웨이퍼를 투입하기 시작했다.

업계에서는 SK하이닉스가 엔비디아향 HBM4 양산에 속도를 내면서 장비 투자를 확대하고 있다는 분석이 나온다. 앞서 젠슨 황 엔비디아 CEO는 지난 5일 방한 직후 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 메모리 3사의 HBM4가 모두 인증을 마쳤고 양산을 진행하고 있다고 밝힌 바 있다. 삼성전자의 경우 지난 2월 세계 최초로 HBM4 양산 출하를 시작했다고 공식 발표했다.

이번 공시를 통해 SK하이닉스의 HBM4 경쟁력을 둘러싼 업계의 우려가 일정 부분 완화될 수 있다는 의견도 나온다. SK하이닉스는 지난해 하반기부터 추가 장비 투자에 보수적인 모습을 보이면서 HBM4 경쟁력에 대한 우려를 샀다. 또한 HBM4부터 하단의 로직 다이인 베이스 다이가 일부 데이터 처리와 전력 효율을 좌우하는 요소로 부각되면서 메모리와 로직 간 통합 설계의 중요성도 커졌다. 그러나 SK하이닉스는 자체 파운드리 없이 TSMC에 베이스 다이 생산을 맡기는 구조인 만큼 HBM4 경쟁력에 대한 우려도 제기돼 왔다.

다만 SK하이닉스가 이번 계약을 통해 HBM4 생산에 필요한 TC 본더를 추가 확보하면서 양산라인 구축과 생산능력 확대에도 탄력이 붙을 것으로 분석된다. 특히 HBM 적층 공정의 핵심 장비를 확보했다는 점에서 향후 엔비디아향 HBM4 물량 대응에도 속도가 붙을 전망이다.

한편 SK하이닉스가 생산하는 HBM4는 엔비디아의 차세대 AI 가속기인 '베라 루빈'에 탑재될 예정이다.