[딜사이트 송한석 기자] 삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 제품인 'HBM4E 12단' 샘플을 글로벌 고객사에 공급하며 AI 메모리 시장 공략에 속도를 내고 있다.

삼성전자는 28일 차세대 AI 가속기용 메모리 제품인 HBM4E 12단 샘플 공급을 시작했다고 밝혔다. HBM은 대규모 언어모델(LLM)과 차세대 AI 시스템에 활용되는 고성능 메모리 제품이다. 이번 제품은 핀당 최대 16Gbps 속도를 지원하며 단일 스택 기준 초당 3.6TB(테라바이트)의 대역폭을 구현했다.

아울러 용량 측면도 개선됐다. HBM4E 12단은 48GB(기가바이트) 용량을 구현했으며 향후 고객사의 다양한 서비스 환경에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단) 제품까지 라인업을 확대할 계획이다.

또한 이번 제품에는 전작인 HBM4에서 검증된 삼성전자의 1c(10나노급 6세대) D램과 자체 파운드리 4나노 로직 다이가 적용됐다. 이를 통해 초미세 공정의 안정성을 극대화하는 동시에 수율과 양산성을 확보했다는 설명이다. 또한 저전력 설계 및 패키징 구조 최적화 기술을 집약해 전작 대비 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 크게 개선했다.

삼성전자는 HBM4E 샘플 공급 이후 고객 일정에 맞춰 양산 공급도 진행할 예정이다. 메모리와 파운드리, 시스템LSI, 첨단 패키징까지 아우르는 생산 체계를 기반으로 공급 안정성을 강화한다는 방침이다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 "HBM4 양산에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급도 진행하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 각인시켰다"며 "압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것"이라고 말했다.

한편 삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 양산 공급을 시작한 HBM4 역시 공급 확대를 추진 중이다. 글로벌 고객사들은 HBM4와 HBM4E 모두 동일한 1c D램과 4나노 베이스 다이 조합이 적용된 만큼 HBM4E 역시 양산 전환 가능성이 높을 것으로 보고 있다.