[세너제이(미국)=이세연 기자] "이게 끝이 아닙니다. 생각해둔 게 더 있습니다.(Next is coming. I got more ideas.)"

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 16일(현지 시간) 미국 새너제이 컨벤션센터에 마련된 삼성전자 부스를 찾은 뒤 이 같은 말을 남기고 자리를 떠났다. 메모리와 파운드리 분야에서 협력하고 있는 양사가 앞으로도 협업할 여지가 많음을 시사하는 발언이다.

젠슨 황 CEO는 이날 오후 3시부터 행사장을 돌아다니다 오후 4시 40분께 삼성전자 부스를 찾았다. 그의 방문 소식이 전해지자 관람객들이 삼성전자 부스를 둘러싸며 구경하는 진풍경이 펼쳐졌다. 이날 현장에는 한진만 파운드리 사업부장 사장, 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장, 조상현 삼성전자 DSA 총괄 부사장 등이 나와 그를 맞았다.

젠슨 황 CEO는 이들과 인사를 나누며 "정말 대단하다. 여러분은 아주 잘하고 있고 훌륭한 파트너십을 이어가고 있다"고 전했다.

이어 조상현 부사장이 삼성전자 부스 전면에 전시된 고대역폭메모리(HBM)4, HBM4E 실물 칩과 다이 웨이퍼 앞으로 젠슨 황 CEO를 안내하며 "세계 최고 수준의 HBM4와 1c D램 코어 다이, 4나노 베이스 다이"라고 설명했다. 그러자 젠슨 황 CEO는 "좋다. 삼성은 세계 최고다"고 화답하며 "제가 승인해야겠다. 승인이 필요한 것 아니냐"고 말했다. 이어 HBM4 실물 칩 위에 '젠슨 황이 승인했다(JENSEN HUANG Approved HBM!')'는 문구를 남겼다.

이번 장면이 더욱 주목받는 이유는 실제로 삼성전자가 엔비디아의 HBM4 공급망에 진입하는 속도가 메모리 3사 가운데 가장 빠르기 때문이다. 전작인 HBM3E의 경우 SK하이닉스와 마이크론보다 성능과 수율 측면에서 뒤처졌다는 평가를 받으며 지난해 하반기에야 공급망에 진입했다. 지난 2024년 GTC 행사에서 젠슨 황 CEO가 삼성전자 HBM3E 실물에 '승인' 메시지를 남겼지만, 이후 실제 공급까지는 상당한 시간이 걸리며 '희망고문' 같은 시간을 보내기도 했다.

젠슨 황은 삼성전자 관계자가 가져온 1c D램 웨이퍼에도 '어메이징 HBM4!'라고 쓰고, 그 옆에 있는 HBM4E 실물 칩을 살펴봤다. HBM4E는 현장에서 황상준 부사장이 특징과 성능 등을 간단히 설명해줬다. 그러자 젠슨 황 CEO는 참관객들을 향해 웃으며 "삼성이 너무 잘하고 있다"고 말했다.

그록(Groq) 칩 웨이퍼도 함께 살펴봤다. 젠슨 황은 앞서 진행된 기조연설에서 그록3 LPU 칩을 소개하면서 해당 칩의 생산을 맡고 있는 삼성전자를 직접 언급했다. 그는 "우리에게 그록3 LPU 칩을 생산해주는 삼성에 진심으로 고맙다. 삼성은 현재 생산을 최대한 끌어올리고 있다"며 "현재 양산에 들어간 상태다. 출하는 올해 하반기, 아마 3분기쯤 시작될 것으로 본다"고 설명한 바 있다.

현장에서 삼성전자 관계자들이 그록 칩 웨이퍼를 가져오자 젠슨 황 CEO는 이를 바라보며 "당신들이 파는 칩은 정말 좋다"고 말하며 '정말 빠른 그록 칩(GROQ SUPER FAST)'라는 문구를 남겼다.

마지막으로 그는 삼성전자의 HBM4, 소캠2, SSD 등이 탑재된 베라 루빈 플랫폼 실물에도 메시지를 남겼다. 그동안 검은색 펜을 사용하던 그는 베라 루빈 플랫폼 앞에서는 금색 펜으로 바꿔 들고 서명을 남긴 뒤 "Go 삼성"이라고 외쳤다.

이후 젠슨 황 CEO는 현장에 모인 관람객들의 모자와 옷 등에 이름을 남겨주며 팬들과 짧은 시간을 보냈다. 부스를 떠나기 전에는 한진만 사장과 황상준·조상현 부사장에게 "나는 여러분이 정말 자랑스럽다. 잘하고 있다"고 말했다.