[딜사이트 이세연 기자] 최근 호실적에 힘입어 재무 여력을 회복한 테스가 사업 포트폴리오 확장에 속도를 내고 있다. 특히 십수년간 이어온 화합물반도체 장비 사업을 미래 성장 축으로 삼고 고객사 확보에 나섰다. 회사는 해당 사업이 3년 안에 매출 비중 20%를 차지하는 핵심 축으로 자리 잡을 것으로 보고 있다.

금융감독원 전자공시에 따르면 테스가 보유한 현금및현금성자산은 지난해 9월 말 기준 525억원으로 집계됐다. 전년 동기(85억원)보다 6배 이상 급증한 수치다. 그동안 테스의 현금 보유액은 주요 고객사인 삼성전자와 SK하이닉스의 장비 투자 속도 조절로 하락세를 보였다. 2021년 630억원에서 ▲2022년 336억원 ▲2023년 209억원 ▲2024년 116억원으로 줄어든 바 있다.

지난해 들어 실적이 반등하면서 분위기가 달라졌다. 현금 유동성 개선은 영업활동현금흐름이 주도했다. 이는 본업을 통해 벌어들이는 현금 창출력을 보여주는 지표로, 지난해 9월 말 기준 655억원을 기록하며 전년 동기(191억원)보다 241.37% 증가했다. 영업활동현금흐름의 시작점인 당기순이익이 두배가량 늘어난 영향이다.

테스는 지난해 매출액과 손익구조가 30% 이상 변동되면서 사업보고서 제출에 앞서 일부 실적을 먼저 공개했다. 이에 따르면 지난해 매출은 3511억원, 영업이익은 578억원으로 전년 대비 각각 46.25%, 50.33% 증가했다. 같은 기간 당기순이익은 33.99% 늘어난 571억원을 기록했다. 이 회사는 지난해 4분기 임직원 상여 지급을 위한 자기주식 처분과 연말 성과급 등 일회성 비용이 반영됐음에도 불구하고 수익성이 개선됐다.

호실적은 삼성전자와 SK하이닉스가 최근 반도체 업황 호조와 가격 상승세에 힘입어 장비 투자를 확대한 영향으로 풀이된다. 테스는 최근 삼성전자 평택캠퍼스 4공장(P4)과 SK하이닉스 청주 M15X에 D램 신규 장비 및 낸드플래시 전환 투자용 장비 공급을 늘리고 있다. 실제로 테스는 최근 한 달 사이 자율공시를 통해 SK하이닉스에 총 316억원 규모의 반도체 제조 장비를 납품했음을 알린 바 있다.

테스는 재무구조 개선을 바탕으로 사업 포트폴리오 확장에 속도를 내고 있다. 특히 회사가 10여년 전부터 준비해온 화합물반도체 장비 사업에 힘을 싣는 분위기다. 최근 화합물반도체가 삼성전자와 SK하이닉스의 차세대 성장 동력으로 주목 받으면서, 테스 역시 관련 투자를 강화하겠다는 입장이다. 회사 측은 화합물반도체 장비 사업이 향후 3년 내 전체 매출의 20%를 차지하는 핵심 축으로 자리 잡을 것으로 본다.

화합물반도체 사업의 기본 라인업은 갈륨나이트라이드(GaN) 성장 장비다. 최근에는 이를 GaN 전력반도체(HEMT) 에피택시 공정으로 확대하고 있다. 테스는 기존 자외선 LED용 MOCVD 장비를 공급하며 축적한 질화알루미늄(AIN) 성장 기술을 바탕으로 GaN HEMT용 MOCVD 장비를 새롭게 선보였다.

GaN 전력반도체용 에피 공정에서는 기판 위에 형성되는 AlN 버퍼층의 품질이 소자 성능을 좌우한다. 이 과정에서 가스를 짧은 주기로 교체하는 '펄스 성장' 방식이 활용되는데, 가스 전환 속도가 공정 정밀도를 결정짓는 핵심 변수로 꼽힌다. 기존 장비는 노즐 전단에서 공정 가스가 넓게 혼합되는 구조라 속도를 높이는 데 한계가 있었다.

테스의 GaN HEMT용 MOCVD 장비는 가스가 섞이는 구간을 최소화한 설계를 적용해 빠른 가스 전환이 가능하다는 입장이다. 테스 관계자는 "펄스 공정을 보다 정밀하게 제어할 수 있어 균열이 없는 AlN 버퍼층 형성과 안정적인 결정 품질을 동시에 확보했다는 평가를 받았다"며 "해당 장비는 현재 유럽 대학과 연구기관을 중심으로 성능 검증 평가가 진행되고 있는 단계"라고 말했다.

최근에는 GaN에서 축적한 기술을 실리콘카바이드(SiC)에도 적용했다. 테스는 최근 SiC용 CVD 장비 트리온(TRION)을 출시했다. 6인치와 8인치 웨이퍼 겸용 구조로 고온 환경에서도 안정적인 온도 균일도와 도핑 제어 성능을 확보한 것이 특징이다. 현재 국내와 중국 고객사를 대상으로 활발한 영업 활동을 이어가고 있다.

회사 관계자는 "트리온은 약 1700도에 달하는 고온 환경에서 여러 개의 얇은 에피층을 반복적으로 성장시키는 공정에 초점을 맞춰 개발됐다"며 "8인치 기준 두께와 도핑 균일도를 1% 수준으로 유지하는 성과를 확인했다"고 덧붙였다.