[미국 새너제이=이세연 기자] 삼성전자가 3월 16일부터 19일까지(현지 시간) 미국 새너제이에서 열리는 '엔비디아 GTC 2026'에 참가해 차세대 HBM4 기술과 AI 메모리 솔루션을 선보였다. 특히 연내 양산 목표인 차세대 HBM4E의 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초 공개했다.

삼성전자는 이번 전시에서 'HBM4 Hero Wall'을 통해 ▲메모리 ▲로직 설계 ▲Foundry ▲첨단 패키징을 아우르는 종합반도체 기업(IDM) 경쟁력을 강조했다고 밝혔다. HBM4부터 핵심 경쟁력으로 떠오른 '턴키' 역량을 대외적으로 선보인 것이다. 또 '엔비디아 갤러리'에서는 AI 플랫폼 구현을 위해 협력하고 있는 엔비디아와의 전략적 파트너십을 부각했다.

이 외에도 삼성전자는 전시 공간을 ▲AI Factories(AI Data Center) ▲Local AI(0n-device AI) ▲Physical AI 세 개의 존으로 구성해 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 메모리 아키텍처를 소개했다.

행사 둘째 날인 17일에는 엔비디아의 초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나서 차세대 AI 인프라 구축에서 엔비디아 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성전자의 메모리 토털 솔루션 비전을 제시한다. 이를 통해 양사의 협력이 단순 기술 협력을 넘어 AI 인프라 전반으로 확대되고 있음을 강조한다.

삼성전자는 이번 전시에서 'HBM4 Hero Wall'을 마련해 HBM 기술 경쟁력을 집중적으로 선보이는 전시 동선을 구성했다. 삼성전자는 HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정 기술과 파운드리 4나노 베이스다이 설계 역량을 바탕으로 차세대 HBM4E 개발을 가속화하고 있으며, 행사에서 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼도 최초 공개했다.

HBM4E는 메모리, 자체 파운드리, 로직 설계, 첨단 패키징 기술을 결합해 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다. 또한 삼성전자는 TCB 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB 기술을 영상으로 공개하면서 패키징 기술 경쟁력을 강조했다.

한편 삼성전자는 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼인 베라 루빈에 탑재될 HBM4 칩과 Foundry 4나노 베이스다이 웨이퍼도 전면에 배치했다. 차세대 칩을 구현하는 삼성의 HBM 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 전시를 구성했다. 삼성전자는 "종합반도체 기업(IDM)만의 토털 솔루션을 통해 개발 효율을 강화, 고성능 HBM 시대에서도 성능과 품질을 압도하는 기술 선순환 구조를 구축할 계획"이라고 자신했다.

특히 삼성전자는 이번 전시를 통해 전 세계에서 유일하게 엔비디아 Vera Rubin 플랫폼의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 메모리 토털 솔루션 역량을 부각했다. 삼성전자는 '엔비디아 갤러리'를 별도로 마련해▲루빈 GPU용 HBM4 ▲베라 CPU용 SOCAMM2 ▲스토리지 PM1763을 베라 루빈 플랫폼과 함께 전시하여, 양사의 협력을 강조했다.

LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈 SOCAMM2는 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산 출하를 시작했다. PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 베라 루빈 플랫폼의 메인 스토리지로, 삼성전자는 부스에서 PM1763이 탑재된 서버를 통해 엔비디아 SCADA 워크로드를 시연한다.

삼성전자는 베라 루빈 플랫폼에 새롭게 도입된 CMX 환경을 위해 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753도 공급할 계획이다. 해당 제품은 부스 내 AI Factories 존에서 전시됐다.

삼성전자 측은 "AI Factory 혁신을 위해서는 베라 루빈 플랫폼 같은 강력한 AI시스템이 필수적이며, 삼성전자는 이를 지원하는 고성능 메모리 솔루션을 지속적으로 공급해 나갈 예정"이라며 "양사는 이러한 협력을 바탕으로 글로벌 AI 인프라 패러다임 전환을 함께 이끌어 갈 것"이라고 밝혔다.