[딜사이트 이세연 기자] 삼성전자와 SK하이닉스가 내년도 D램 생산 증가율 목표를 끌어올리고 있다. 삼성전자는 DDR5·LPDDR5X·GDDR7 등 범용 D램에 무게를 두는 반면, SK하이닉스는 HBM에 대한 집중도를 유지하면서 범용 D램의 수익성 증대 효과도 함께 챙기려는 분위기다.

양사의 전략은 수익성 강화라는 측면에서 비슷하지만 대량 양산체제에 강점이 있는 삼성전자는 범용 D램에 좀 더 집중하고, SK하이닉스는 시장 선두를 달리고 있는 HBM에서 시장 지위를 유지하면서 수익을 내는 전략을 이어갈 것으로 예상된다. 이에 삼성전자는 D램 가격상승을 유지할 수준만큼 생산량을 극대화할 전망이고, SK하이닉스 역시 D램 생산량을 확대하지만 늘어난 물량은 주로 HBM에 투입할 것이라는 분석이다. 

업계에 따르면 양사는 내년도 D램 생산 증가율 목표치를 잇따라 높여 잡고 있다. 업황 회복 속도가 빨라지자 이에 맞춰 내부 계획을 계속해서 재정비하고 있는 것으로 전해진다. 반도체 업계 한 관계자는 "삼성전자의 경우 당초 계획보다 두배 이상 목표치를 높인 것으로 안다"며 "최종안은 연내 확정될 것"이라고 설명했다.

iM증권 추정치 기준 내년 업계 D램 생산 증가율은 19% 수준이며 삼성전자는 21%, SK하이닉스는 17%일 것으로 전망된다. 업계에서는 이 같은 생산 확대에도 수요 증가폭이 이를 웃돌 가능성이 높다고 보고 있다.

삼성전자는 캐파의 상당 부분을 범용 D램에 할당하려는 분위기다. 1z 등 기존 성숙 공정 라인을 전환 투자하는 것을 넘어, HBM3E를 생산하는 1a 캐파까지 40% 축소해 범용 D램 비중을 키우려는 모습이다. 차세대 HBM4에 사용될 1c D램 신규 투자분은 웨이퍼 기준 월 8만장 수준에 그칠 것으로 예상된다.

회사 내부에서는 내년 수익성 회복을 최우선 과제로 세운 만큼, 영업이익률이 높은 제품군에 생산력을 집중하는 기조가 뚜렷하다. 이에 따라 내년부터 가격 하락이 예상되는 HBM3E 비중은 줄이고, 영업이익률이 60% 이상을 기록할 것으로 예상되는 범용 D램 중심으로 전략을 재편하고 있다.

삼성전자는 지난 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM 증산 가능성을 내부적으로 검토 중"이라고 밝히면서도 "최근 범용 D램 가격 상승으로 수익성이 가파르게 개선되고 있어, HBM과 범용 D램 간 상대적 수익성을 고려해 추가 증산 규모는 시황을 모니터링하며 적정 수준으로 확정할 것"이라고 언급한 바 있다. 

SK하이닉스 역시 D램 캐파 투자 목표치를 두배가량 늘리며 업황 반등에 대응하려는 모습이다. 당초 업계에서는 SK하이닉스가 증설분의 대부분을 HBM에 투입할 것으로 예상했다. 회사 측이 지난 3분기 컨콜에서 "일반 D램 이익률이 HBM과 비슷해질 가능성은 있지만, 당사는 일시적인 수익성 변화만으로는 캐파 믹스를 즉시 조정하진 않을 것"이라고 공식화한 점도 이러한 전망에 힘을 실었다.

따라서 범용 D램에 집중하는 삼성전자와는 전략적 방향이 상당히 다를 것으로 예상됐으나, 최근 범용 D램 가격 급등세가 이어지면서 SK하이닉스 역시 이를 의식하는 분위기다. 이에 일부 계획을 조정하려는 기류가 감지된다는 것이다. 업계에 따르면 SK하이닉스는 올해 기준 월 2만장 수준이었던 1c D램 캐파를 내년 말까지 16만장으로 확대할 것으로 전해졌다. 

앞선 관계자는 "SK하이닉스의 HBM 영업이익률은 70% 수준으로 알려져 있다"며 "내년에는 범용 D램에서도 이와 비슷한 수준의 마진이 나올 것으로 보여, 이를 적극적으로 반영하려는 움직임이 나타나고 있다"고 말했다.