[딜사이트 김민기 기자] 삼성전자가 올해 3분기 확정실적 발표에서 고대역폭메모리(HBM)3E 8단과 12단 모두 양산 판매 중이라고 밝혔다. 아직 핵심 고객처이자 '큰 손'인 엔비디아의 HBM3E 품질 테스트 통과가 지연되고 있지만 유의미한 진전을 보이고 있으며 4분기 중 판매 확대가 가능할 것이라는 전망도 내놓았다.
삼성전자는 HBM3E를 엔비디아에 공급하기 위해 개선품을 만들어 내년 상반기 공급을 확대하고, HBM4에서는 파운드리 경쟁사인 TSMC와도 협력 가능성을 내비치면서 SK하이닉스와의 격차를 줄이겠다는 계획을 선보였다.
김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 31일 3분기 컨퍼런스콜에서 "HBM3E 8단과 12단 모두 양산 판매 중"이라며 "주요 고객사 퀄(품질 테스트) 과정상 중요한 단계를 완료하는 유의미한 진전을 확보했고 4분기 중 판매 확대가 가능할 전망"이라고 밝혔다.
삼성전자는 지난 8일 잠정실적 발표시 "HBM3E의 경우 예상 대비 주요 고객사용 사업화가 지연됐다"고 설명한 바 있다. 앞서 지난 2분기 컨퍼런스콜에서 올해 3분기 내에 주요 고객사(엔비디아)의 HBM3E 8단 퀄테스트 통과를 예고했지만 결국 실패하면서 삼성전자 주가도 하락하는 등 시장의 신뢰가 하락했다.
하지만 이날 컨퍼런스콜에서 다시금 HBM3E 퀄테스트 통과와 관련해 시장 우려를 불식시키면서 기대감을 높였다. 또 삼성전자는 전체 HBM 3분기 매출은 전 분기 대비 70% 이상 성장했고, HBM3E의 매출 비중은 3분기에 10% 초중반 수준까지 증가했다고 강조했다. 특히 4분기 HBM3E 비중은 40% 늘어난 50%대로 예상된다고 밝힌 만큼 4분기에 엔비디아의 퀄 통과가 가능할 것이라는 추측도 나오고 있다.
당초 SK하이닉스에 메모리사업부 영업이익이 크게 밀릴 것이라는 우려도 있었지만 확정 실적이 발표되자 큰 차이가 없이 선방한 것으로 나타났다. 삼성전자 DS부문의 올해 3분기 영업이익이 3조8600억원으로, 경쟁사인 SK하이닉스 7조300억원의 절반 수준에 머물렀다. 하지만 이는 시스템LSI와 파운드리 사업부가 1조원 중후반대에 이르는 적자를 내고, 예상치 못한 일회성 비용 등이 반영됐기 때문이다. 이를 감안하면 삼성전자의 메모리 사업부는 SK하이닉스와 비슷한 약 7조원의 영업이익을 낸 것으로 추정된다.
실제 김 부사장은 "평균판매단가(ASP) 상승 폭은 계획 대비 속 제한적인 수준이었지만 결과적으로 D램, 낸드 모두 전분기 대비 한 자릿수 후반 수준의 ASP 상승을 기록했다"며 "메모리 사업의 전체 매출은 달러화 기준 전분기 대비 한 자릿수 중반 수준 증가했다"고 전했다.
서버향 제품 증가도 수익성 개선에 힘을 더했다. 서버 ASP 상승 폭은 전체 D램 ASP 상승폭을 상회했고, 서버 D램 내 DDR5의 매출 비중은 80%를 넘어섰다. 김 부사장은 고용량 DDR5 수요 증가로 삼성이 업계 최초로 개발한 1b 나노 32Gb DDR5 기반 128GB 제품의 전체 서버향 DDR5의 매출 비중이 한 자릿수 후반 수준까지 확대됐다"고 밝혔다.
다만 여전히 HBM 시장 주도권은 SK하이닉스에 밀리고 있다. HBM의 주요 판매처도 아직 엔비디아보다는 AMD 등에 주로 납품하는 것으로 예측된다. 삼성전자는 엔비디아에 HBM3E 납품을 위해 베이직 다이로 사용 중인 4세대 10나노급 D램인 1a D램을 재설계하고 있고 이를 통한 HBM3E 개선 제품도 내놓을 계획이다.
김재준 부사장은 "주요 고객사들의 차세대 GPU 과제에 맞춰 최적화된 HBM3E 개선 제품을 추가적으로 준비하고 있다"며 "내년 상반기 내에 해당 개선 제품의 과제 양산화를 위해 고객사들과 일정을 협의하고 있다"고 밝혔다.
이와 더불어 HBM4에서는 2025년 하반기 양산 목표로 삼성 파운드리 외에도 TSMC 등 외부 고객과 협력할 방침을 정했다. 그동안 삼성전자는 메모리-파운드리-패키징을 모두 갖춘 종합반도체기업(IDM)이란 장점을 살려 HBM 턴키 솔루션을 제공한다는 계획이었다. 하지만 경쟁력 확보를 위해 TSMC와의 협력 가능성도 조심스레 내비친 것이다.
송태중 파운드리 사업부 상무는 복수의 고객사들과 커스텀 HBM 사업화를 준비하고 있다"며 "베이스 다이 제조와 관련해 파운드리 파트너 선정은 내부, 외부와 관계없이 고객 요구에 맞춰 유연하게 대응해나갈 예정이다"고 말했다.
4분기 메모리 반도체 빗그로스(생산량 증가율) 전망에 대해서는 D램의 경우 직전분기 대비 한자릿수 중반 수준으로 감소할 것으로 내다봤다. HBM의 생산과 판매는 확대되나 이로 인한 첨단 공정 기반의 DDR5, LPDDR5의 전분기 대비 생산 증가는 제한 적일 것이라는 분석이다. 낸드의 경우는 서버 SSD의 수요가 견조하고 QLC SSD 판매 확대에 힘입어 서버 SSD 판매는 전 분기 대비 추가 10% 수준으로 증가할 전망이다. 하지만 모바일의 경우 수요 약세의 영향으로 제한적인 수요 성장이 예상된다.
김 부사장은 "모바일 고객사의 레거시 제품 위주로의 재고 조정과 재고 판매에 따른 기저효과가 더해져 4분기 D램 빗그로스는 한 자릿수 중반 수준 감소할 것"이라며 "전체 낸드 판매량은 한 자릿수 초반 수준의 제한적인 증가가 예상된다"고 전했다.
한편 캐펙스(Capex) 계획도 전면 수정해 적자를 보이는 파운드리 대신 고부가 메모리 제품에 힘을 싣겠다는 계획이다. 내년 반도체 시설투자는 올해와 유사한 수준의 캐펙스를 고려 중이며 설비 투자의 경우에는 증설보다는 전환 투자에 초점을 두겠다는 계획이다.
삼성전자는 "기존 라인에 대해 1b나노 D램 및 V8, V9 낸드로 전환을 가속화해서 수요 모멘텀이 강한 선단 공정 기반 고부가가치 시장에 집중할 계획"이라며 "파운드리 투자는 시황과 투자 효율성을 고려해 기존 라인 전환 활용의 우선순위를 두고 투자를 운영 중이며 올해 캐펙스 집행 규모는 감소 전망이다"고 전했다.
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