[딜사이트 한보라 기자] SK하이닉스가 용량을 대폭 늘린 4세대 고대역폭메모리(HBM) D램 제품을 선보였다.

SK하이닉스는 현존 최고 용량인 24GB(기가바이트)를 구현한 HBM3 신제품을 개발했다고 20일 밝혔다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 높인 고성능 제품이다. 이번 신제품은 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 용량을 24GB까지 늘렸다.

고객사로부터 제품 성능 검증을 끝낸 뒤 상반기 안에 양산 준비를 끝마친다는 계획이다. SK하이닉스 기술진은 이번 제품에 어드밴스드(Advanced) MR-MUF와 TSV 기술을 적용했다.

어드밴스드 MR-MUF는 D램 칩을 쌓을 때 액체 형태의 보호제를 주입해 적층면 사이 회로를 보호하는 공정이다. TSV는 D램 칩에 무수히 많은 구멍을 뚫어 전극으로 연결하는 어드밴스드 패키징 기술이다. 이에 따라 고용량에도 기존 16GB 제품과 같은 두께에 더 안전하고 효율적인 제품을 만들어낼 수 있었다는 설명이다.

SK하이닉스 관계자는 "HBM은 고성능 컴퓨팅을 요구하는 생성형 AI에 필수적인 메모리 반도체 제품"이라며 "프리미엄 메모리 수요에 발맞춰 하반기부터 시장에 신제품을 공급해 나가겠다"고 밝혔다.

홍상후 SK하이닉스 P&T담당 부사장은 "세계 최고의 후공정 기술력을 바탕으로 초고속, 고용량 HBM 제품을 개발했다"며 "상반기 안에 HBM3 신제품 양산 준비를 마치고 AI 시대 최첨단 D램 시장의 주도권을 확고히 할 것"이라고 말했다.