[딜사이트 이세연 기자] "올 2분기 고대역폭메모리(HBM)의 비트(bit) 기준 판매량은 전분기 대비 30%대 증가했고, 이 가운데 HBM3E가 차지하는 비중은 80% 후반까지 확대됐습니다. 올 하반기에는 이 비중이 90%를 상회할 것으로 보입니다."

김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 31일 진행된 2분기 실적 발표 컨퍼런스콜 이후 진행된된 질의응답 세션에서 HBM 실적 전망에 대해 이같이 답했다. 현재 상용화된 HBM 가운데 최선단에 해당하는 HBM3E의 판매량이 지속적으로 늘어나고 있다는 설명이다.

삼성전자는 2분기 메모리 시장에서 AI 서버 수요 강세에 힘입어 당초 예상보다 수요 개선세가 뚜렷해졌다고 밝혔다. 이에 따라 HBM3E와 고용량 DDR5 제품 비중을 늘리면서 서버 수요에 대응했다. 김재준 부사장은 "최근 주요 고객사로 AI 서버용 LPDDR5X 초도 양산 제품을 출하했다"며 "2분기 D램 비트그로스(bit gross)는 당초 가이던스에 부합하는 10% 초반대를 기록했다"고 설명했다.

10나노급 6세대(1c) D램을 기반으로 한 HBM4 12단 제품에 대해서도 생산 전환을 위한 준비 작업에 착수하겠다는 목표다. 삼성전자의 HBM4는 선단 로직 공정을 적용한 베이스 다이가 탑재돼 이전 세대인 HBM3E 대비 성능과 전력 효율을 크게 개선했다는 게 회사 측 설명이다.

이달 초 삼성전자의 1c D램은 내부적으로 대량 양산 준비 승인(PRA)을 받은 바 있다. 김 부사장은 "최근 1c 나노 공정의 모제품 양산 전환 승인을 완료했고, 이를 기반으로 HBM4 제품 개발을 완료했다"며 "주요 고객사들에게 이미 샘플을 출하했다"고 덧붙였다.

수년간 적자를 이어온 파운드리 사업부는 올해를 기점으로 대형 고객사 확보에 집중하겠다는 방침이다. 최근 테슬라로부터 22조원 규모의 2나노 공정 물량을 수주하면서 경쟁력을 입증했다는 평가다. 회사 측은 이번 수주를 계기로 대형 고객사로부터의 추가 수주가 기대되며, 미국 테일러 팹을 포함한 선단 공정 라인의 안정적인 가동을 통해 수익성 개선이 가능할 것으로 보고 있다.

노미정 삼성전자 파운드리사업부 상무는 "선단 공정 로드맵 관점으로, 2나노 공정은 성능 및 성숙도 향상을 통한 완성도 높은 공정을 지속적으로 제공하는 '롱로드' 전략을 기반으로 개발하고 있다"고 밝혔다. 이어 "내년에는 신규 공정 개발을 위해 기존의 단일 로드맵에서 벗어나 '리딩 테크놀로지'와 '플랫폼 테크놀로지'로 구분되는 새로운 로드맵을 구성했다"고 말했다.

아울러 "신규로 개발되는 공정은 소수의 핵심 고객사와 협업을 통해 수율 및 성능 성숙도를 확보하고, 주요 IP가 확보되는 시점부터 플랫폼 테크놀로지 형태로 다양한 글로벌 고객사에게 (확대) 제공하는 전략"이라고 덧붙였다. 회사 측에 따르면 신규 공정은 세대별 공정 변경점을 최소화하고, 실리콘 성숙도 향상에 집중하는 방식으로 성능을 개선할 계획이다.

한편 이날 삼성전자는 올 2분기 연결 기준 영업이익이 전년 동기 대비 55.23% 감소한 4조6761억원으로 집계됐다고 공시했다. 같은 기간 매출은 74조5700억원으로 0.67% 증가했고, 순이익은 5조1164억원으로 48.01% 감소했다.