[딜사이트 김민기 기자] 삼성전자가 내년도 고대역폭 메모리(HBM) 생산 능력을 올해 대비 2.5배 늘리겠다고 강조했다. 당초 3분기부터 HBM3 납품이 본격화될 것으로 기대했지만 주요 고객사와 계약 연기 등 이유로 본격 양산 시기가 일부 미뤄졌다.

하지만 내년에 메모리 가격 상승세가 예상되고 D램과 낸드플래시 감산이 이어지는 상황에서 인공지능(AI) 수요를 겨냥한 고부가 제품 공급 강화와 선단공정 전환 가속화를 통해 실적 개선에 속도를 내겠다는 전략이다. 

김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 31일 3분기 실적 발표 콘퍼런스콜에서 "생성형(제너러티브) AI 확산과 더불어 HBM수요가 급증하고 있다"며 "HBM2E에 이어 HBM3 및 HBM3E 신제품에 대한 사업을 활발히 확대하고 있다"고 전했다. 

이어 "내년 HBM 공급 역량은 업계 최고 수준을 유지하는 차원에서 올해 대비 2.5배 이상 확보할 계획"이라면서 "이미 해당 물량에 대해 주요 고객사들과 내년 공급 협의를 완료한 상태"라고 덧붙였다.

삼성전자는 3분기 AMD 등과 공급계약을 한 상태로 4분기에는 고객사 확대를 통한 판매 본격화에 나설 계획이다. HBM3 비중도 내년 상반기 내에 HBM 전체 판매 물량의 과반 이상을 넘어설 것으로 예상했다.

HBM3E의 경우 8기Gbps(기가비피에스) 속도의 24Gb(기가비트) 칩을 8단으로 쌓인 올린 제품은 샘플 공급을 이미 시작했고 내년 상반기 양산 예정이다. 12단으로 적층한 36GB(기가바이트) 제품도 내년 1분기 샘플 공급을 준비 중이다.

앞서 삼성전자는 지난 20일 미국 실리콘밸리에서 열린 '메모리 테크 데이' 행사에서 초당 최대 1.2테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있는 초고성능 HBM3E D램 '샤인볼트'를 처음 선보인 바 있다.

김 부사장은 "HBM3E 제품은 이미 공정된 1a나노 공정 기반 제품"이라면서 "캐파 규모와 양산 안정성 측면에서의 강점을 기반으로 주요 고객에 보다 안정적인 공급이 가능할 것으로 보고 있다"고 전했다.

이어 "내년 하반기에는 HBM3E로의 급격한 전환을 통해 더욱 높아지고 있는 AI 시장의 요구에 적극 대응할 계획"이라며 "앞으로도 HBM 선두 업체로서 하이스피드 저전력 등 제품 경쟁력과 안정적 공급력을 기반으로 HBM시장 리더십을 지속 강화해 나가겠다"고 덧붙였다.

올해 SK하이닉스가 HBM3 독점 공급으로 시장 선두 리더십을 강화하는 가운데 내년부터는 삼성전자도 본격적으로 시장 진입을 시도하겠다는 모습이다. 특히 HBM3에서는 SK하이닉스에 밀리면서 자존심을 구겼지만 내년 본격 양산 계획 중인 HBM3E부터는 주도권을 잡을 수 있다고 자신하고 있다.

또 HBM을 주문한 고객사가 TSMC 같은 파운드리(반도체 위탁생산) 기업에 별도로 패키징을 맡겨야 하는 수고로움을 덜어주기 위해 턴키(일괄 생산) 서비스를 제공할 계획이다.

실제 거대언어모델(LLM) 기반 생성형 AI 수요가 계속해서 늘어나면서 삼성전자 파운드리사업부에도 호재가 이어질 것으로 보인다. 파운드리사업은 3분기에 고성능컴퓨팅(HPC)을 중심으로 분기 기준 역대 최대 수주를 달성했다. 4분기에도 고객사 신제품 출시 효과에 따른 실적 개선을 내다보고 있다.

정기봉 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 컨퍼런스콜에서 "AI 가속기 모듈의 주요 구성 요소는 4가지로, 선단공정과 실리콘 인터포저 레거시공정, HBM과 2.5D 패키징"이라며 "이 중 보틀넥(병목현상)이 감지되는 HBM과 2.5D 패키징 중심으로 공급 능력을 신속하게 확대할 것"이라고 밝혔다. 추가 수급 상황을 모니터링하며 증설해 나가겠다고 덧붙였다.