[딜사이트 이세연 기자] "10나노급 6세대(1c) D램은 지난해 개발 완료 후 올해부터 양산을 시작했습니다. 내년에 본격적으로 램프업(가동률 확대)을 진행해 내년 말에는 국내 일반 D램 캐파 절반 이상을 1c 나노 제품 생산에 활용할 계획입니다."

SK하이닉스는 29일 열린 3분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 선단 공정 전환 계획에 대해 이같이 밝혔다. 당장은 주력 제품군을 1b 공정으로 대부분 대응하겠지만, 중장기 경쟁력 확보를 위해 1c 공정 도입이 불가피하다는 판단이다.

회사 측은 "최고 성능과 원가 경쟁력을 확보한 1c 공정 기반 DDR5, LPDDR5, 그래픽 D램 등 전제품 라인업을 구축하고 고객 수요에 맞춰 적기 공급해 수익성 확보할 것"이라며 "현재 1c 공정은 이미 안정적으로 양산 중"이라고 말했다.

실제로 SK하이닉스는 안정성이 검증된 1b D램을 HBM4 등 핵심 제품군에 집중 투입하고, 범용 제품군에는 1c D램을 확대 적용하는 전략을 취하고 있다. 삼성전자가 1c 공정 생산능력을 HBM에 전량 배정하고 범용 제품에는 1b를 사용하는 방식이라면, SK하이닉스와 마이크론은 이와 반대되는 방향에서 포트폴리오를 운영하고 있다.

이 외에도 SK하이닉스는 일반 D램과 낸드플래시 부문에서도 선단 공정 전환 속도를 높이고 있다. SK하이닉스는 "내년 신규 캐파(생산능력)는 이미 공급 계약이 완료된 HBM 중심으로 활용할 예정"이라며 "일반 D램과 낸드는 기존 라인의 선단 공정 전환을 통해 수요 증가에 대응하겠다"고 말했다. 즉 신규 증설보다는 기존 라인의 효율화를 통해 생산성을 끌어올리겠다는 전략이다.

특히 낸드에서는 수익성 개선에 초점을 맞추며, 세계 최고층인 321단 기반 TLC와 QLC 제품으로의 기술 전환을 추진하고 있다. 회사는 향후 해당 제품의 공급을 확대해 고객 수요에 신속히 대응한다는 방침이다. 내년부터 본격적인 램프업이 예상되며, 내년 SK하이닉스의 낸드 생산 비트그로스(Bit Growth)의 절반 이상을 321단 제품이 차지할 것으로 전망된다.

한편 SK하이닉스는 이날 컨퍼런스콜에서 "고객 수요 강도와 당사 생산능력을 고려할 때, 내년에는 HBM뿐 아니라 일반 D램과 낸드까지 사실상 '솔드아웃' 상태라고 해도 과언이 아니다"고 강조했다. 이어 "일반 메모리 제품 역시 장기 공급 계약을 희망하는 고객이 늘고 있으며, 일부 고객은 2026년 물량에 대한 선구매 주문(PO)까지 발행하며 공급 부족에 선제적으로 대응하고 있다"고 덧붙였다.

SK하이닉스는 주요 빅테크 기업들의 설비투자(CAPEX) 확대와 AI 투자 증가로 HBM 시장이 향후 5년간 연평균 30% 이상의 고성장을 이어갈 것으로 전망했다. 회사 측은 "급증하는 고객 수요에 대응하기 위해 메모리 업계의 전반적인 CAPEX 확대는 불가피하다"며 "당사의 내년도 CAPEX도 올해보다 상당 폭 증가할 것으로 예상된다. 이 가운데 재무 구조는 안정적으로 유지할 계획"이라고 밝혔다.