[딜사이트 이세연 기자] "차세대 HBM4 샘플을 모든 고객사에게 출하한 상태입니다. 고객 과제 일정에 맞춰 양산 출하 준비까지 마쳤습니다. 내년도 HBM 생산 계획은 올해 대비 대폭 확대해 수립했는데, 해당 물량에 대한 고객 수요를 이미 확보했고 추가적인 주문도 지속 접수되고 있습니다. 이에 내부적으로 HBM 증산 가능성에 대해 검토 중입니다."

김재준 삼성전자 반도체(DS) 메모리사업분 부사장은 30일 3분기 실적발표 컷퍼런스콜 이후 진행된 질의 응답 세션에서 HBM 사업 현황과 관련해 이같이 답했다. HBM 최대 수요처인 엔비디아를 포함한 주요 빅테크들과 성능 평가를 진행 중이며, 통과될 시 당장 내년부터 본격 양산이 가능할 것으로 예상된다. 회사 측은 현재 상용화된 HBM3E의 판매 증가세도 고려해 내부적으로 증산 계획을 검토하고 있다.

삼성전자는 올 하반기를 기점으로 HBM 물량 공세에 속도를 내고 있다. HBMBE 12단 제품의 경우 이미 SK하이닉스 대비 30% 낮은 가격으로 공급되고 있으며, 여기에 증산까지 더해 점유율을 빠르게 확대하려는 전략으로 풀이된다. HBM4 역시 이와 유사한 방향의 생산 확대 전략을 고민하고 있는 것으로 알려졌다.

이 가운데 범용 D램의 수익성도 빠르게 개선되고 있어, 삼성전자는 HBM과 범용 D램의 수익성을 종합적으로 고려해 최종적으로 결정을 내릴 예정이다.

삼성전자의 3분기 HBM 비트(bit) 기준 판매량은 전분기 대비 약 80% 중반 수준으로 확대됐으며, 레거시 HBM 제품은 전량 HBM3E로 대체됐다. DS 부문은 3분기 매출 33조1000억원, 영업이익 7조원을 기록했다. 매출은 전년 동기 대비 13% 증가했고, 영업이익은 81.34%나 급등했다. 고부가가치 제품인 HBM의 판매 확대가 실적 개선을 견인한 것으로 분석된다.

삼성전자는 이날 HBM4의 기술 경쟁력을 거듭 강조하는 분위기였다. 최근 빅테크들 사이에서 GPU 성능 경쟁이 치열해지면서 주요 고객사들이 기존 계획을 수정해 더 높은 사양의 메모리를 요구하고 있기 때문이다. 김재준 부사장은 "HBM4를 개발 초기 단계부터 이러한 시장 요구를 반영해 고객 기대치를 웃도는 성능 목표를 설정하고 제품을 완성했다"며 "현재 고객사에 전달된 HBM4 샘플은 초당 11Gbps 이상의 속도와 저전력 특성을 모두 충족한다"고 말했다.

한편 삼성전자는 내년 HBM4 수요가 본격적으로 늘어날 것으로 보고, 이에 대응하기 위해 10나노급 6세대(1c) 공정 캐파(생산 능력) 확대 투자를 적극 추진할 방침이다.

파운드리 부문 역시 2026년에는 고객 확보와 연계한 탄력적 투자 기조를 유지하는 동시에, 미국 테일러 신공장의 본격 가동을 위한 건설 마무리와 장비 투자를 추진할 계획이다. 또한 2나노 2세대 공정과 17나노 CIS(씨모스 이미지센서) 등 신공정 양산 준비를 병행할 예정이다.

강석채 삼성전자 파운드리 사업부 부사장은 "올해는 2나노와 1.4나노 등 선단 공정 경쟁력 강화를 위한 미래 투자를 이어갔지만, 양산 투자는 기존 라인의 전환 및 보완 중심으로 진행되면서 전년 대비 설비투자 규모는 감소했다"며 "내년 설비투자 규모는 2024년 수준으로 확대될 전망"이라고 강조했다.