전기전자 긴급진단
KB證 "턴키 삼성전자 내년 'HBM3' 경쟁력 정점"
'설계-메모리-패키지' 턴키 생산공정 유일하게 구축
이 기사는 2023년 08월 30일 10시 34분 유료콘텐츠서비스 딜사이트 플러스에 표출된 기사입니다.
삼성전자, SK하이닉스 로고. (제공=각 사)


올해 전기전자 업계는 코로나 팬데믹 이후 글로벌 경제 위기와 이로 인한 IT수요 위축, 반도체 재고 폭증 등으로 인해 커다란 위기를 겪었다. 전자업계 맏형인 삼성전자는 올해 1분기에 이어 2분기에도 14년 만에 최악 실적을 기록하며 자존심을 구겼다. 삼성전자와 SK하이닉스는 반도체 부문에서 상반기에만 15조원에 달하는 적자를 내며 역대급 손실을 기록했다. 세계 1위 DNA라고 자부했던 대한민국의 D램은 적자에 허덕였고, TV·가전 부문에서도 수익성 악화가 지속되고 있다. 휴대폰 시장 역시 성장이 정체되면서 새로운 먹거리가 절실한 상황이다. 이에 딜사이트는 현재 전기전자 업계가 처한 현실과 향후 개선돼야할 문제점이 무엇인지에 대한 전문가들의 목소리를 모았다. 해외신용평가사, 국내 증권사, 시장조사업체 등 15여개의 업체들을 통해 긴급 진단을 진행해 본다. / 편집자주


[딜사이트 한보라 기자] 내년 삼성전자 고대역폭메모리3(HBM3) 경쟁력이 정점을 찍을 전망이다. KB증권은 올해 하반기면 삼성전자가 HBM3 분야에서 '설계(Logic)-메모리(HBM3)-패키지(2.5D package)' 생산 체제를 모두 갖출 것으로 내다봤다.  


김동원 KB증권 리서치본부장은 29일 딜사이트와 단독 인터뷰에서 "인공지능(AI) 수요 확대로 공급 부족(shortage)이 심화되고 있는 HBM 분야에서는 '일괄 생산체제(Turn Key)'를 확보하고 있는 삼성전자 선호도가 뚜렷해질 것"이라며 "내년 삼성전자 전체 D램 매출에서 HBM3 비중은 올해 보다 3배 늘어난 20%에 근접할 것"이라고 설명했다. 


HBM은 D램 여러 개를 수직으로 적층해 데이터 처리 속도를 높인 고성능 메모리 반도체다. D램에 수천 개의 미세한 비아 홀(Via Hole)을 뚫은 뒤 상층 칩과 하층 칩을 수직으로 연결하는 실리콘 관통 전극(TSV) 패키지 방식을 사용한다. 


HBM은 다른 모듈 방식과 비교해 데이터 처리 양과 속도가 모두 빠르고 차지하는 물리적 면적도 적다. 하지만 패키징 후공정 등에 필요한 실리콘 소재 가격이 비싸고 적층 과정에서 불량이 발생할 확률이 크다. 성능만큼이나 원가가 비싸기 때문에 AI 등 고용량 데이터 연산이 필요한 응용처에 수요가 집중돼 왔다. 


높은 원가율에 HBM 투자를 대하는 국내 메모리 제조사 전략은 갈렸다. 한 반도체 업계 관계자는 "삼성전자는 비용 부담에 시장성이 높지 않다고 판단, 지난해 HBM 투자 개발 중단도 고려했었다"며 "SK하이닉스와 비교해 HBM3 양산에서 뒤처졌던 이유"라고 말했다. 이어 "그러나 AI 투자를 원하는 응용처들이 이왕 투자할 거 아낌 없이 투자하자는 기조를 보이면서 최근 시장 내 HBM 영향력이 커지자 상황이 달라진 것"이라고 덧붙였다. 


김 본부장은 "삼성전자는 여전히 메모리 반도체 제조 3개사(삼성전자·SK하이닉스·마이크론) 가운데 기술적, 수익적 측면에서 우수함을 유지하고 있다"며 "하반기부터는 HBM3의 일괄 생산체제를 갖고 있는 유일한 메모리 반도체 제조사가 될 것"이라고 말했다.


KB증권은 D램과 낸드플래시 평균판매단가(ASP)가 반등하는 시기를 각각 올해 3분기, 내년 1분기로 내다봤다. D램의 경우 3분기 ASP가 전기대비 5% 오를 것으로 제시했다. 업황 부진에 직격타를 맞은 낸드플래시도 하반기부터 적자 폭이 점차 줄어든다는 전망이다. 


김 본부장은 "향후 낸드플래시 시장도 D램과 같이 독점 체제로 바뀔 가능성이 높다"며 "그렇게 되면 국내 메모리 반도체 제조사의 수혜가 크겠다"고 말했다. 그러면서 "HBM3, DDR5 등 차세대 메모리 제품에 대한 연구개발(R&D), 수익성 개선 노력을 지속한다면 국내 메모리 제조사의 높은 경쟁력은 계속 유지될 것"이라고 설명했다. 

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