[딜사이트 김주연 기자] SK하이닉스가 미국 인디애나주에 ‘Made in USA’ 고대역폭메모리(HBM) 생산 거점을 건설한다. 한국에서 생산한 첨단 웨이퍼를 토대로 미국에서 최첨단 패키징과 테스트를 거친 HBM을 현지에 공급하는 한·미 HBM 생산체계를 구축한다는 구상이다.

SK하이닉스는 27일(현지시간) 미국 인디애나주 웨스트라피엣에 위치한 퍼듀대학교 할로웨이 체육관에서 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지 기공식을 개최했다.

이날 기공식에는 마이크 브런 인디애나 주지사, 토드 영 연방 상원의원을 비롯해 미치 대니얼스 퍼듀대학교 총장, 로버트 에이브럼스 주한미군전우회 회장, 강경화 주미 한국대사 등 주요 인사들이 참석했다. SK그룹에서는 유정준 미주총괄 부회장, 이형희 부회장, 곽노정 SK하이닉스 CEO 등이 자리했다.

곽노정 SK하이닉스 CEO는 “오늘은 미국과 SK하이닉스가 함께 AI의 새로운 미래를 시작하는 날”이라고 선언하며 “미국은 최고의 고객과 연구역량, 생태계가 함께하는 AI 혁신의 중심지이고, 인디애나 팹은 최초로 ‘Made in USA’ HBM을 제공하는 거점이 될 것”이라고 말했다. 이어 “미국에 대한 투자와 협력을 확대하고 함께 성장하며, 미국 AI의 미래를 같이 만들어가는 가장 신뢰받는 파트너가 되겠다”고 강조했다.

SK하이닉스가 미국 내 생산거점을 구축하는 것은 이번이 처음이다. 앞서 회사는 2024년 4월 투자 발표 이후 2년 4개월 만에 인허가 절차를 거쳐 본격적인 공사를 시작하게 됐다. 인디애나 생산기지가 들어서는 부지는 총 54만㎡ 규모다. SK하이닉스는 2024년 6월 인디애나경제개발공사(IEDC)와 투자 협약을 맺었으며, 이에 따라 2055년까지 최대 7억1218만달러의 인센티브를 지원받을 예정이다.

인디애나 팹에는 40억달러 이상이 투자된다. 이를 통해 2028년 10월 클린룸을 완공한 뒤 2029년 하반기부터 차세대 HBM 양산에 나설 계획이다. 생산이 본격화되면 미국 내 핵심 HBM 생산 거점으로 자리 잡을 것으로 회사는 기대하고 있다.

인디애나 팹은 한국과 미국의 생산체계를 긴밀하게 연계하는 방식으로 운영된다. 한국에서 생산한 최첨단 웨이퍼를 인디애나로 들여온 후 현지에서 차세대 패키징과 테스트를 거쳐 완성한 ‘Made in USA’ HBM을 미국 내 고객사에 공급하는 방식이다.

생산라인 외에도 ‘어드밴스드 패키징 R&D 테스트베드’가 구축된다. 이를 통해 고객·대학·비즈니스 파트너와 함께 차세대 기술을 개발하고 시제품 제작과 성능 검증 등을 신속하게 수행할 수 있게 된다.

이번 인디애나 팹 투자는 미국 현지 반도체 생태계 확대에도 영향을 미칠 전망이다. SK하이닉스는 현재 100여개 소재·부품·장비 협력사와 현지 반도체 생태계를 구축하고 있으며, 이를 인디애나 팹을 중심으로 더욱 확대한다는 구상이다. 회사는 공장 건설과 운영 등을 통해 7000여개의 직·간접 일자리를 창출할 계획이다.

강경화 주미 한국대사는 “SK하이닉스의 인디애나 투자는 단순한 반도체 생산 시설 투자가 아닌, 미국 내 첫 AI 메모리 생산 시설 및 R&D 센터 구축으로, 반도체 인재를 육성하고 정부 및 외부 기관과 협력을 강화할 수 있는 고유의 모델”이라고 말했다.

SK하이닉스는 퍼듀대학교와 어드밴스드 패키징 분야 연구개발(R&D) 협력을 위한 업무협약도 체결했다. 양측은 R&D 협력을 강화해 HBM 등 차세대 시스템 통합 및 어드밴스드 패키징 기술을 공동으로 연구할 계획이다.

또한 주한미군 전역 군인을 대상으로 새로운 일자리와 기회를 제공하는 채용 협력도 추진된다. SK그룹은 이를 위해 대한상공회의소와 한미동맹재단이 운영하는 ‘주한미군 전역 장병 취업 플랫폼’에 참여한다.