[새너제이(미국)=이세연 기자] "고대역폭메모리(HBM)4에서는 저희가 11.7기가비트(Gbps)급 프리미엄 제품 공급을 압도적으로 늘린다는 것을 기본 전제로 하고 있다. 현재 제품이 100% 잘 나오고 있는 만큼 (이러한 전제에 맞춰) 공급을 할 것이다."

황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 16일(현지 시간) 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 최대 테크컨퍼런스인 'GTC(GPU Technology Conference) 2026'에서 기자들과 만나 이같이 말했다. 삼성전자의 HBM4가 SK하이닉스 등 경쟁사 대비 속도 구현에 유리하다는 평가를 받는 가운데, 엔비디아의 프리미엄 제품군에서도 공급 우위를 점할 것이라는 자신감이다.

최근 엔비디아의 HBM4 공급망이 속도에 따라 차등 공급하는 듀얼 빈(11.7Gbps, 10.6Gbps) 구조를 운영될 것이라는 관측이 나오고 있다. 11.7Gbps급 상위 모델이 엔비디아의 핵심 제품군에 적용될 가능성이 높은 만큼, 해당 물량을 얼마나 선점하느냐가 관건으로 자리잡았다. 삼성전자는 현재 엔비디아 HBM4 공급 진척도가 가장 빨라, 샘플 역시 상위 제품군 중심으로 공급하고 있는 것으로 전해진다.

이러한 자신감을 바탕으로 삼성전자는 HBM4 램프업(물량 확대)에도 속도를 내고 있다. 삼성전자는 올해 HBM 공급량을 전년 대비 약 3배 늘릴 계획이다. 제품 구성은 향후 고객 수요에 따라 달라질 수 있지만, 현재로서는 HBM 전체 캐파(생산 능력) 가운데 HBM4가 차지하는 비중을 절반까지 확대할 방침이다. 공급이 부족한 상황에서 수익성을 극대화하려는 전략이다. 황 부사장은 "현재 HBM4는 가파르게 램프업을 하고 있다. 큰 문제는 없는 상황"이라고 전했다.

황 부사장은 "HBM4부터는 성능 경쟁이고, 특히 전력 효율이 되게 좋아야 한다. 그래야 랙 단위에서 요구하는 전력 조건을 맞출 수 있다"며 "HBM4에서는 그 부분이 가장 어려운 과제고, HBM4E의 경우 생각보다 더 어려울 것 같다"고 말했다. 다만 황 부사장에 따르면 HBM4E는 HBM4와 동일한 공정 기반으로 개발되고 있어 현재까지는 순조롭다는 평가다. 현재 삼성전자 내부 평가 단계에 와있다.

그는 "고객이 원하는 HBM4E 로드맵은 3분기에 샘플을 받고, 올해 말부터는 양산을 하는 것"이라며 "그 일정에 맞춰 준비하고 있다"고 말했다. 특히 최대 수요처인 엔비디아는 1년 단위로 새로운 플랫폼을 개발하겠다는 목표를 세웠는데, 이에 맞춰 대응이 가능하다는 설명이다.

HBM4E의 성능 개선 성과를 강조하는 발언도 이어졌다. 황 부사장은 "HBM4E는 HBM4와 동일하게 파운드리 4나노 공정을 사용하지만, HBM4E에 맞게끔 파운드리의 트랜지스터 성능 개선이 많이 이뤄졌다. 4나노 공정이 진일보한 것"이라며 "HBM4와 동일한 아키텍처를 기반으로 더 빠르게 디자인하고, 현재 납품 일정이 가장 빠른 엔비디아에 공급할 것"이라고 전했다.

한편 현재 개발 중인 HBM5의 경우 삼성전자 파운드리 사업부의 실적 개선을 이끌 변수가 될 수 있다. 삼성전자가 HBM5부터는 베이스다이에 자사 파운드리 2나노 공정을 도입하기로 결정했기 때문이다. 황 부사장은 "HBM5는 코어 다이에 1c 공정을 사용하고, (베이스다이에) 파운드리 2나노를 적용할 예정"이라며 "HBM5 에코의 경우 1d 공정과 2나노를 사용하는 구조가 될 것인데, 그 과정에서 소자 성능도 추가 개선될 것"이라고 강조했다.