[딜사이트 송한석 기자] “저는 평생 메모리를 해온 사람으로서 메모리를 이제 부품 그 자체라고만 보지는 않습니다.”

안현 SK하이닉스 사장은 14일 서울 코엑스에서 열린 ‘SEDEX 2026’에서 이같이 밝혔다. 인공지능(AI) 반도체의 성능 경쟁이 연산 능력을 넘어 데이터 처리 효율로 확대되면서 SK하이닉스도 고대역폭메모리(HBM)를 넘어 차세대 메모리 솔루션 개발에 속도를 내고 있다.

안 사장은 “HBM과 D램 사이, D램과 SSD 그리고 SSD와 네트워크 스토리지 사이에도 또 다른 계층, 또 다른 메모리 형태가 개발돼야 한다”며 “고객들이 원하는 방향으로 AI 모델을 더 효율적으로 돌릴 수 있어야 한다”고 말했다.

기존 메모리 산업은 D램과 낸드플래시의 성능 개선과 원가 경쟁이 중심이었다. 그러나 AI 모델이 처리하는 데이터가 급증하면서 빠른 메모리는 용량이 작고 대용량 메모리는 속도가 느린 구조적 한계가 부각되고 있다. SK하이닉스는 이를 해결하기 위해 3D 적층 D램과 고대역폭플래시(HBF), CXL 기반 메모리 등으로 개발 영역을 넓히고 있다.

안 사장은 “3D 적층 D램은 I/O를 기존 HBM보다 수십 배 늘린다”며 “AI의 성능 병목을 해결하는 새로운 메모리 계층”이라고 밝혔다.

3D 적층 D램은 GPU 등 프로세서 위에 D램을 직접 쌓는 방식이다. 현재 HBM은 실리콘 인터포저를 거쳐 GPU와 데이터를 주고받지만 3D 적층 D램은 수직 연결을 통해 데이터 이동 거리를 줄인다. 이를 통해 대역폭을 높이고 전력 소모를 낮출 수 있다. 다만 발열을 제어할 첨단 패키징 기술이 필요하다.

아울러 SK하이닉스는 용량 확대를 위한 HBF 개발도 추진 중이다. HBF는 D램 대신 낸드플래시를 적층해 실리콘관통전극(TSV)으로 연결하는 기술이다. 샌디스크 등과 협력해 HBF 표준화도 추진 중이며 내년 1월 최종 규격 마련을 목표로 하고 있다.

여기에 CXL 기반 풀드 메모리와 차세대 SSD인 ‘스토리지 넥스트’도 개발하고 있다. CXL은 여러 서버가 메모리 자원을 공유해 사용 효율을 높이는 기술이다. 스토리지 넥스트는 낸드와 컨트롤러 구조를 개선해 초당 입출력 처리 성능을 기존 대비 4~8배 높이는 것을 목표로 한다.

안 사장은 “3D 적층 D램이나 HBF, CXL 풀링, 스토리지 넥스트와 같은 새로운 메모리 계층을 만들어 성능과 용량의 병목을 해결해 나가고자 한다”며 “고객이나 파트너들과 같이 스펙을 정의하고 표준을 제정하고 생태계를 만드는 접근이 AI 시대에는 꼭 필요하다”고 전했다. 이어 “HBM으로 AI 시대를 선도한 것처럼 새로운 메모리 솔루션으로 AI 생태계의 지속적인 성장을 이끌어 나가겠다”고 강조했다.