[딜사이트 김민기 기자] SK하이닉스가 현존 최고속 모바일용 D램 'LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)'를 개발해 고객사에 샘플을 제공했다고 25일 밝혔다.

LPDDR5T는 SK하이닉스가 지난해 11월 공개한 모바일 D램 LPDDR5X의 성능을 업그레이드한 제품이다. 이번 신제품의 동작속도를 LPDDR5X 대비 13% 빨라진 9.6Gbps(초당 9.6기가비트)까지 높였다. 최고속도를 구현했다는 점을 부각하기 위해 회사는 규격명인 LPDDR5 뒤에 '터보(Turbo)'를 붙여 제품명을 자체 명명했다.

LPDDR은 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격이다. 전력 소모량 최소화를 목적으로 하고 있어 저전압 동작 특성을 갖고 있다. 규격명에 LP(Low Power)가 붙는다. 최신 규격은 LPDDR 7세대(5X)로 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발됐다. LPDDR5T는 SK하이닉스가 최초 개발한 버전이다. 8세대 LPDDR6가 업계에 공식 출시되기 전 7세대인 LPDDR5X의 성능을 업그레이드한 제품이다.

LPDDR5T는 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준인 1.01~1.12V(볼트)에서 작동한다. 속도는 물론 초저전력 특성도 동시에 구현해낸 제품이다. 

SK하이닉스는 "초당 8.5Gbps 속도의 LPDDR5X를 내놓은 지 불과 두 달 만에 기술 한계를 다시 한번 돌파했다"며 "이번 신제품을 기반으로 고객이 필요로 하는 다양한 용량의 제품을 공급해 모바일용 D램 시장의 주도권을 더욱 견고히 할 것"이라고 밝혔다.

최근 SK하이닉스는 LPDDR5T 단품 칩들을 결합해 16GB(기가바이트) 용량의 패키지 제품으로 만들어 샘플을 고객에게 제공했다. 패키지 제품의 데이터 처리 속도는 초당 77GB로, 이는 FHD(Full-HD)급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이다.

SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) 미세공정 기반으로 올 하반기부터 이 제품 양산에 들어갈 계획이다.

한편, SK하이닉스는 LPDDR5X에 이어 이번 제품에도 'HKMG(High-K Metal Gate)' 공정을 적용했다. 회사는 "HKMG 공정 기술력을 통해 신제품이 최고 성능을 갖추게 됐다"며 "다음 세대인 LPDDR6가 나오기 전까지는 기술력 격차를 획기적으로 벌린 LPDDR5T가 이 시장을 주도해 갈 것"이라고 자신했다.

HKMG는 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량(Capacitance)을 개선한 차세대 공정이다. 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있다. SK하이닉스는 지난해 11월 HKMG 공정을 모바일 D램에는 세계 최초로 도입했다.

IT 업계는 앞으로 5G 스마트폰 시장이 확대되면 속도, 용량, 저전력 등 모든 스펙이 고도화된 메모리 수요가 늘어날 것으로 보고 있다. 이런 흐름에서 SK하이닉스는 이번 LPDDR5T의 활용 범위가 스마트폰뿐 아니라 인공지능(AI), 머신러닝(Machine Learning), 증강·가상현실(AR·VR)까지 확대될 것으로 기대하고 있다.

SK하이닉스 류성수 부사장(DRAM상품기획담당)은 "이번 신제품 개발을 통해 초고속을 요구하는 고객들의 니즈(Needs)를 충족시키게 됐다"며 "앞으로도 차세대 반도체 시장을 선도할 초격차 기술 개발에 힘써 IT 세상의 게임 체인저가 될 것"이라고 말했다.