[딜사이트 김민기 기자] SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)3와 차세대 HBM3E에서 내년 생산을 앞둔 제품이 모두 '솔드아웃'(판매 완료) 됐다며 시장 선두 유지에 대한 자신감을 드러냈다. 

삼성전자와 미국 마이크론이 HBM3 시장에 후발주자로 뒤따라오고 있는 상황에서 선두주자로서 시장 선점 효과를 가져가며 선두 위치를 강화하겠다는 포부다. 

SK하이닉스는 26일 열린 3분기 경영실적 컨퍼런스콜에서 "HBM3뿐만 아니라 HBM3E 다 포함해 내년 생산 능력이 현시점 이미 솔드아웃(매진)된 상태"라고 밝혔다.

이날 SK하이닉스는 HBM과 DDR5를 바탕으로 D램 사업을 흑자로 돌려놨다고 밝혔다. HBM의 가파른 성장세가 SK하이닉스 D램 사업의 전반적인 수익성 향상을 끌어낸 것이다. 삼성전자와 미국 마이크론이 아직 메모리사업 적자에 허덕이는 상황에서 의미있는 성과다. 

 

SK하이닉스는 HBM 시장에서 '퍼스트 무버(시장 선도 기업)'로 올라서며 강력한 시장 리더십을 이어갈 것임을 강조했다. 상당수 고객 및 잠재 고객들과 '프라이머리 벤더(주요 공급자)'로서 논의를 하고 있으며 양산 품질, 성능 등 SK하이닉스에 유리한 환경이라고 글로벌 시장 분위기를 전했다. 

특히 SK하이닉스는 HBM3E가 속도와 발열 제어, 고객 사용 편의성 등 모든 측면에서 세계 최고 수준을 충족한다고 강조했다

박명수 SK하이닉스 D램 마케팅 담당(부사장)은 컨퍼런콜에서 "고객이나 시장 관계자들에게 듣는 이야기에 따르면 SK하이닉스의 HBM3E 케파 점유율이 압도적으로 높은 걸로 이해하고 있다"면서 "내년을 포함해 중기적으로도 다양한 AI 플레이어들과 잠재 고객 포함해서 비즈 영역을 확대하는 논의를 하고 있다"고 전했다.

이어 "고객들에 따르면 자사의 대규모 양산 경험 등이 크게 신뢰를 주는 모습이고 그런 면에서 상당수의 고객, 잠재 고객들과 주요 공급자로서의 논의를 하고 있다"면서 "내년뿐만 아니라 2025년까지도 대부분 고객사 파트너와 기술 협업 케파 논의하고 있다"고 자신감 넘치는 어조로 밝혔다. 

SK하이닉스는 AI 서버 시장이 향후 5년 간 40% 이상 성장할 것으로 예상하고 있다. 이 과정에서 핵심 부품인 HBM 시장이 연평균 60~80%씩 고공 성장할 것으로 예측했다. 시장 확대로 인해 경쟁사들도 HBM에서 기회를 얻겠지만 SK하이닉스가 한동안 독보적인 위치를 유지할 것으로 바라보고 있다. 

이외 더불어 여전히 수요 회복이 더딘 낸드의 감산 기조를 유지하는 한편 D램에서는 투자를 더욱 늘려 HBM3, DDR5 등 선단 공정으로의 전환을 가속화하겠다는 방침이다. D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하고 HBM과 어드밴스드 패키징 기술인 TSV의 투자를 확대하겠다는 구상을 내보였다.

한편 내년에 HBM3E가 나오면 HBM3 제품 가격 하락이 있을 수 있다는 우려에 기존 제품과 신제품과 가격 간섭 효과는 크지 않다고 일축했다. 

박 담당은 "내년은 D램이 전반적으로 업황 회복이 빨라질 시기라 HBM3를 새로 내년에 채용하는 고객은 거기에 준해서 저희가 가격을 정하면 된다"면서 "3에서 3E로 넘어가는 경우는 상대적으로 다른 공급사 대비해서 제너레이션 체인지를 1년 단위로 빠르게 선점 효과를 가지고 있어 종합 ASP 측면에서 우위를 점하고 있다"고 말했다.