[딜사이트 이태웅 기자] DB하이텍이 차세대 전력반도체 양산에 속도를 낸다. 고부가가치 제품 라인업을 늘려 시장 경쟁력을 확보하겠다는 전략이다.

DB하이텍은 갈륨나이트라이드(GaN)·실리콘카바이드(SiC) 등 화합물 웨이퍼 제조를 위해 핵심장비를 도입하며 개발에 박차를 가하고 있다고 18일 밝혔다. 앞서 DB하이텍은 지난 2분기 실적발표에서 신성장동력으로서 화합물 웨이퍼 개발·양산에 투자한다는 중장기 전략을 발표했다.

GaN·SiC는 전력반도체의 차세대 소재로 꼽힌다. 기존 실리콘(Si)과 비교해 고전압, 고주파, 고온에 강하다. 전력 효율도 높아 전기차, 신재생에너지 등 고성장 분야에서 수요가 늘고 있다.

DB하이텍은 8인치 웨이퍼를 주력으로 생산하고 있는데, GaN·SiC로 경쟁력을 확보하겠다는 입장이다. 전기차 인버터에 주로 적용되는 SiC는 기술적 난이도가 높아 아직 6인치가 주류를 이루고 있다. 초기 8인치 시장에 진입해 점유율을 높여 간다는 게 회사 설명이다.

DB하이텍은 이를 위해 인력 및 기술 부문에 투자하고 있다. GaN 전문 팹리스(반도체 설계) 에이프로세미콘과 협력해 파운드리 공정 특성을 향상하고 있다. SiC는 국채과제의 일환으로 부산테크노파크 등과 개발 협력 중이다. DB하이텍은 오는 2026년 GaN의 경우 1000장 단위, SiC는 100장 단위 양산할 것으로 내다보고 있다.

DB하이텍 관계자는 "8인치 웨이퍼 공정의 부가가치를 올려 차세대 전력반도체 시장을 선점해 나가고자 한다"고 밝혔다.