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DB하이텍, 12인치 파운드리 진출 가능성 적어
한보라 기자
2023.09.13 08:05:21
전성비·내구도 좋은 화합물 반도체 투자에 집중 가능성↑
이 기사는 2023년 09월 13일 08시 00분 유료콘텐츠서비스 딜사이트 플러스에 표출된 기사입니다.
DB하이텍 상우 공장 생산라인. (제공=DB하이텍)

[딜사이트 한보라 기자] 연초 DB하이텍이 제시했던 '12인치(300mm) 웨이퍼 공정' 반도체 위탁 생산(파운드리) 사업 진출 가능성이 사실상 희박해졌다. 


조단위 투자금 대부분을 차입으로 확보해야 하는데 거래선 확보, 수익 창출 등 투자 성과가 보장돼있지 않아 부담이 크기 때문이다. 대신 DB하이텍은 기존 사업군인 8인치(200mm) 웨이퍼 공정의 부가가치를 높이기 위해 실리콘카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 소재 8인치 웨이퍼 개발에 힘쓸 것으로 보인다. 


12일 업계에 따르면 DB하이텍은 지난 2분기 기관투자자 대상 투자설명회(NDR)에서 "12인치 파운드리 시장에 무리하게 진출하지 않겠다"며 "다만 정부 지원, 고객사 상황 등 여러 환경이 맞춰진다면 진출 가능성도 열어두겠다"고 말했다.


올해 정기주주총회에서 12인치 파운드리 사업 진출을 밝힐 때와 달리 소극적인 태도로 선회했다. 지난 3월 최창식 DB하이텍 부회장은 "12인치 사업은 회사 가치 성장을 위해 꼭 필요하다"고 강조했다. 이와 관련해 DB하이텍은 2025년부터 5년 동안 1조~2조5000억원을 들여 12인치 파운드리 사업에 진출하겠다고 세부 계획도 내놨다. 

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일반적으로 반도체 산업 수익 구조는 박리다매다. 웨이퍼 크기가 커지고 칩 1개당 크기가 작아질수록 많은 칩이 생산돼 원가가 낮아진다. 삼성전자 DS부문 파운드리사업부, 대만 TSMC 등 글로벌 파운드리가 12인치 웨이퍼 공정으로 갈아탄 이유다.


DB하이텍은 올해까지도 레거시 공정인 8인치 웨이퍼 공정에 국한된 사업군을 영위해 왔다. 대규모 투자가 수반돼야 하는 12인치 웨이퍼 공정 초미세 경쟁보다는 안정적인 사업에 주력했다. 자동차, 가전제품 등 '다품종 소량생산'이 필요한 칩셋은 여전히 8인치 웨이퍼 공정에서 주로 만들어진다. 


8인치 웨이퍼 공정에서 12인치 웨이퍼 공정으로 넘어가려면 생산라인 자체를 바꿔야 하는 만큼 최소 1조원 이상이 소요된다. 그러나 DB하이텍이 영업활동으로 1년 동안 벌어들이는 돈은 5000억원 미만이다. 최근 5년 평균 DB하이텍 영업활동현금흐름은 3500억원 안팎에 불과했다. 코로나19 특수였던 지난해 영업활동현금흐름도 7301억원에 그쳤다. 


결국 외부 조달을 통해 조 단위 투자금을 마련해야 한다. 문제는 투자금을 마련해 12인치 웨이퍼 공정에 진출했을 때 거래선을 확보, 투자 대비 수익을 낼 수 있는지다. 이와관련해 신용평가사 등 외부 기관도 '12인치 웨이퍼 공정 투자 확대에 따른 재무 부담 변동'을 주요 평가 요인으로 진단했다. 

 

반면, 글로벌 파운드리 시장을 선도하는 삼성전자 DS부문과 TSMC는 2나노 경쟁에 사활을 걸고 있다. DB하이텍은 한수 아래인 중국 화홍그룹, SMIC 등과 경쟁을 해야 하는 상황이다. 중국 정부에서는 반도체 사업에 막대한 자금을 쏟아붓고 있다. 중국 파운드리 기업과 기술력, 단가 등 격차를 DB하이텍이 쉽사리 뛰어 넘을 수 있을지 미지수다. 


복수의 반도체 업계 관계자는 "12인치 웨이퍼 공정에 수반되는 투자 계획, 투자 규모 등은 합리적으로 산정한 것으로 보이지만 실제 진출 가능성은 낮아보인다"며 "사실상 차입으로 관련 투자금을 유치해야 할 텐데 가능성은 희박하다"고 설명했다. 


업계에서는 DB하이텍이 12인치 웨이퍼 공정보다는 SiC, GaN 등 화합물 웨이퍼 양산에 투자 역량을 집중할 것으로 보고 있다. 화합물 웨이퍼는 실리콘(Si) 웨이퍼보다 전성비가 좋고 내구성이 뛰어나다. 화합물 웨이퍼로 만든 전력반도체가 차세대 모빌리티 주력 부품으로 떠오르며 정부 또한 관련 연구개발(R&D) 투자를 늘리는 모습이다. 


DB하이텍 역시 선진 글로벌 종합 반도체 기업(IDM)과 파트너십을 맺고 화합물 웨이퍼 양산 관련 인력 및 장비를 확보하기 위해 속도를 내고 있다. DB하이텍은 오는 2026년 GaN 웨이퍼를 1000장 단위, SiC 웨이퍼를 100장 단위 양산할 수 있을 것으로 전망했다.

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