경북대 전자공학부 김대현 교수팀은 세계 최고의 극초고주파 특성을 갖는 고전자 이동도 트랜지스터(High-Electron-Mobility Transistor, HEMT)를 개발했다고 5일 밝혔다.

이번 연구는 김대현 교수와 함께 동대학 대학원생 박완수 씨와 국내 중견기업 ㈜큐에스아이, 일본 NTT(Nippon Telegraph and Telephone Corporation) 연구진이 공동으로 진행했다. 

공동 연구팀은 고전자 이동도 트랜지스터를 제작, 0.75 테라헤르츠(THz)의 차단 주파수 특성과 1.1 THz의 최대 공진 주파수 특성을 갖는 전자소자를 개발했다. 이는 현재까지 발표된 반도체 전자 소자들 중에 가장 빠른 속도를 낸다고 연구팀은 설명했다. 

테라헤르츠(THz) 및 서브 테라헤르츠(Sub-THz)는 데이터 속도를 5G 대비 몇 십배 이상 개선시킬 수 있는 6G 후보 주파수 대역이다.

해당 성과는 미국 현지시간인 12월 6일 세계적으로 가장 권위 있는 반도체 학술대회인 '2022 IEDM(International Electron Devices Meeting)'에 발표했다. 이번 결과는 IEDM 학회의 250편 논문 중 올해 주목할 연구 성과 16편에 선정됐다. 

연구책임자인 김대현 교수는 "미래 핵심 반도체 분야는 인공지능(AI) 반도체와 6G 이동통신용 반도체 두 가지 분야로 요약된다"며 "본 연구 성과는 서브테라헤르츠 대역에서 서비스가 이루어 질 것으로 예상되는 6G 이동통신 시스템의 고성능, 고효율, 다기능화를 위한 핵심 기술이 될 것"이라고 밝혔다.